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onsemi NXH50C120L2C2ES1G
| Artikelnummer: | NXH50C120L2C2ES1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1200V 50A 26DIP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $98.805 |
| 100+ | $89.3954 |
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onsemi NXH50C120L2C2ES1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NXH50C120L2C2ES1G.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Supplier Device-Gehäuse 26-DIP Serie - Leistung - max 20 mW Verpackung / Gehäuse 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) Paket Tube Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor Yes Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 11.89 nF @ 20 V Eingang Three Phase Bridge Rectifier IGBT-Typ - Strom - Collector Cutoff (Max) 250 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 A Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Grundproduktnummer NXH50 -
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